在透明導(dǎo)電膜中，氧化鋅(ZnO)薄膜具有顯著的c 軸優(yōu)先成長(zhǎng)取向及透明性，而且具有較低的電阻率及良好的光穿透度， 因此被廣泛地應(yīng)用于聲電及聲光元件。此外，氧化鋅薄膜的表面織構(gòu)化或坑洞化的表面型態(tài)，對(duì)于光學(xué)元件 （如：太陽(yáng)能電池）具有強(qiáng)化陷光(enhanced light trapping)的應(yīng)用。一般氧化鋅薄膜的電阻偏高(約為1-100 Ω-cm)， 其導(dǎo)電特性主要受制于氧空缺、鋅間隙原子與摻雜的金屬離子。氧化鋅薄膜的性質(zhì)深受其制備參數(shù)所影響。 以氧化鋅摻鈦(Ti -doped ZnO)薄膜是于較低的真空壓力中利用陰極電漿電弧系統(tǒng)來(lái)沈積。探討靶材功率、 工作氣氛和薄膜厚度對(duì)于氧化鋅摻鈦薄膜的結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)之影響是本研究的重點(diǎn)之一。 實(shí)驗(yàn)氧化鋅摻鈦薄膜來(lái)研究其微結(jié)構(gòu)、電及光學(xué)性質(zhì)。