標(biāo)題：制造高精度光學(xué)圖像分析光刻機(jī)械零件分析
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2017-6-13 22:18:45
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正文:
制造高精度光學(xué)圖像分析光刻機(jī)械零件分析
圖形化的涂層應(yīng)被保護(hù)以免受到影響和沖擊，由于涂層本身
可以阻止這些影響，因此這一涂層也稱為抗蝕劑(防護(hù)性涂層)，抗
蝕劑也能起到固定基體上蝕刻掩模的作用，因此硅片表面上僅已曝
光的區(qū)域在接下來的加工處理中改變。用于結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換的電磁波波譜
取決于需被轉(zhuǎn)換的結(jié)構(gòu)尺寸，可見光或接近紫外光(UV)的光可以用
于大于0．5μm及以上的結(jié)構(gòu)，遠(yuǎn)紫外光(波長193nm)用于結(jié)構(gòu)尺寸
小到0．15μm的結(jié)構(gòu)，X射線(波長在0．2—20nm的同步輻射)仍處
于研究和開發(fā)階段，對于尺寸小至幾納米的結(jié)構(gòu)，應(yīng)采用電子束或
離子束光刻。在電子束光刻過程中，電子束由掃描模式(類似于用
在電視機(jī)接收器中的模式)導(dǎo)向于基體，同時電子束被迅速地產(chǎn)生
或停止。與用于大批量生產(chǎn)的投影方法相比，電子束光刻是一個系
列信息的轉(zhuǎn)換過程。因此，電子束光刻是緩慢的高精度加工過程。
電子束光刻的關(guān)鍵是生產(chǎn)精密的掩模，掩模的CAD數(shù)據(jù)可以被連續(xù)
地寫入電子敏感層中。與制造高精度的掩模相比，生產(chǎn)出合格的產(chǎn)
品是第二項重要因素。
隨著對結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)換精度要求的提高，光學(xué)圖像(圖像還原)已經(jīng)接
近它的物理極限。沒有一個透鏡可以把“完整晶片”上已曝光的微
米級的細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)，轉(zhuǎn)換到一個200mm直徑的晶片上。由于非常需要
對結(jié)構(gòu)進(jìn)行校驗，所以一次只對晶片的一部分進(jìn)行曝光。然后在光
學(xué)裝置下的硅片被機(jī)械地移動到下一個需要重復(fù)的曝光位置，這一
過程稱為“步進(jìn)和重復(fù)”。上述過程已應(yīng)用到電子束光刻中。這里
電子?xùn)|刻寫器可以刻寫的最大面積為lmmXlmm。在完成每一次刻寫
后，帶有掩模的鏡臺被機(jī)械地移動到下一個刻寫區(qū)域。由于很多結(jié)
構(gòu)跨過不止一個區(qū)域，所以機(jī)械位移的位置誤差應(yīng)小于最小結(jié)構(gòu)尺
寸的一定倍數(shù)，而且在結(jié)構(gòu)中位置是否對正也應(yīng)引起注意。這些由
干涉儀控制的機(jī)械鏡臺是光刻機(jī)械中最昂貴的零件。
光學(xué)輻射過程的重要功能是掩模的縮放。應(yīng)能區(qū)別陰影投影過
程(在此，掩模與需要轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的晶片具有同樣的尺寸)和圖像(還
原而成的圖像)成家過程。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/9919.html
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