標題：表面粗糙度對薄膜電路-混合集成電路檢測顯微鏡
信息分類:站內新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2015-4-2 12:16:02
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正文:
混合集成電路對基片的要求
1.基片平整度、粗糙度向
目前的薄膜集成電路，大部分直接做在基片上，為了保證能得到很好
的工藝重復性，和便于自動化生產，基片表面一定要非常平整，同時表
面粗糙度對薄膜電路（特別是薄膜電容器）的成品率影響非常大。薄膜
電路基片的粗糙度應小于1000埃，而厚膜電路基片的粗糙度可略差一些
，例如對膜厚為10-25微米的厚膜，基片的粗糙度應小于3微米。
2.良好的電氣性能
基片應該具有良好的絕緣性能，即要有向的電阻率，隨著混合集成電
路在微波波段應用。
3.高的導熱系數
隨著集成度的提高和運用功率的增加，在一些元、器件，特別是大功
率晶體管和電阻器附近，會發(fā)生大量的焦耳熱。如果這些熱量不及時散
發(fā)出去，將使電路過熱而損壞，因此，高的導熱系數有時成為大功率電
路選擇基片的重要條件。
4.與其它材料相匹配的熱膨脹系數
這種熱膨脹系數的匹配，可以減少溫度循環(huán)、溫度沖擊、焊接和電路
功耗變化等引起的熱應力，在實踐中發(fā)現，如果基片與膜狀材料的熱膨
脹系數相差較大（不匹配），熱應力足以把膜從基片上剝離下來，或使
電路不穩(wěn)定，基片的熱膨脹系數對膜狀電阻器值的一致性和電阻溫度系
數也有直接關系。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科