標題：表面粗糙度測量儀器-光學精密儀器廠家
信息分類:站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時間:2013-6-30 23:51:18
將本頁加入收藏
下一篇：表面粗糙度測量的方法簡介-光學測量儀器
上一篇：腔室子囊菌鑒定其特征專業(yè)生物顯微鏡
點擊查看產(chǎn)品參數(shù)和報價--丨--
---
---
---
正文:
單晶矽為半導體晶片常用之基板材料，但在封裝過程若設(shè)計不當則有可能因材料間熱膨脹系數(shù)不匹配而造成晶片破壞。
許多學者藉由各種測試方式期望能得到矽晶片的破壞強度以改善制程良率，并發(fā)現(xiàn)當單晶矽試片尺寸縮小時其強度上升
然而，當制造較小尺寸試片時由于制造方式改變會造成粗糙度的改變，并影響破壞強度。
因此，本研究的目的在于建立一套方法以獲得帶有粗糙度影響之破壞強度。
由于實驗結(jié)果顯示側(cè)面粗糙度的影響較表面粗糙度的影響大，因此本研究聚焦于側(cè)面粗糙度對破壞強度的影響。
首先，利用光學顯微鏡配合影像處理技術(shù)重建試片的側(cè)面粗糙度曲線，并獲得最大粗糙度高度R_max以及平均波峰間距
S_m等粗糙度參數(shù)。接著，進行三點彎折實驗以獲得試片破壞時所需位移，并擬合韋伯分布曲線獲得最大近似估計量。
最后，把粗糙度參數(shù)以及破壞時所需位移代入有等效凹槽的有限元素模型并進行求解，
可得到試片破壞時凹槽頂端之第一主應力，即帶有側(cè)面粗糙度影響的單晶矽破壞強度。
結(jié)果顯示帶有側(cè)面粗糙度影響的單晶矽破壞強度約為2.7 GPa，此數(shù)值與文獻相比在合理范圍內(nèi)。盡管如此，
本方法在表面存在研磨痕跡且痕跡與側(cè)面接近垂直時會造成高估的結(jié)果，
若利用在表面拋光后的試片可望有較合理的結(jié)果
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/4413.html
北京地區(qū)金相顯微鏡專業(yè)的供應商
北京地區(qū)金相顯微鏡專業(yè)的供應商