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正文:
針對奈米線寬之銅制程所采用的高硬度的障壁層及低強度的多孔性材料之低介電常數(shù)材料為題材,
進行平坦化之研磨拋光性能試驗與探討.
由于傳統(tǒng)的CMP所設(shè)定的負載拋光應(yīng)力,作用于奈米線寬之銅制程之平坦化過程當中.由于低介常數(shù)材料的機械強度
不及于以往的介電質(zhì)材料,無法丞受過大的拋光應(yīng)力.易于拋光過程當中,
因拋光應(yīng)力過大造成低介電常數(shù)材料之微結(jié)構(gòu)的破壞,進而影響后續(xù)產(chǎn)品的制造品質(zhì).
因此對于所采用低介電常數(shù)材料之銅導內(nèi)連線平坦化過程,所使用的研磨拋光應(yīng)力不宜過大,
約0.5psi左右的拋光應(yīng)力.而在如此低的研磨應(yīng)力之下,對于高強度的障壁阻絕層亦能有效的達到拋光的效果.
出自http://www.bjsgyq.com/
北京顯微鏡百科
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