標(biāo)題：半徑量測(cè)精密儀器-礦石研究金相顯微鏡廠商
信息分類(lèi):站內(nèi)新聞
作者:yiyi發(fā)布
時(shí)間:2013-2-15 1:16:29
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正文:
半徑量測(cè)精密儀器-礦石研究金相顯微鏡廠商
探針半徑量測(cè)治具的設(shè)計(jì)與量測(cè)
一般探針半徑量測(cè)是利用探針掃描一特定微小立刃式的凸起校正治具，凸起的頂部半徑
需遠(yuǎn)小于探針半徑，探針與立刃接觸獲得探針頂?shù)那拾霃�，但此特用治具昂貴且取得不易。
本研究將利用(100)矽晶圓非等向蝕刻制作治具，利用晶格蝕刻所得到的精準(zhǔn)V溝，推算探針
實(shí)際半徑，以作為后續(xù)量測(cè)高度補(bǔ)償?shù)牡囊罁?jù)。
化學(xué)蝕刻矽晶圓時(shí)，因各個(gè)方向的蝕刻速度不同，而造成特殊的蝕刻幾何形狀，在方向的蝕刻速率遠(yuǎn)小于其他方向，
因此蝕刻形狀將由速度最慢的面所定義。以(100)晶圓
蝕刻為例，一個(gè)長(zhǎng)邊對(duì)準(zhǔn)于晶圓主切邊的矩形蝕刻遮罩(Etching mask) ，自然蝕刻停止則可
得到V形長(zhǎng)溝。若方向的蝕刻速率遠(yuǎn)小于其他方向，蝕刻形狀可視為在(111)面自然停
止，而得到完美的V形斷面，蝕刻斜面與水平面的夾角為晶格面角度54.7°[8]。本研究將公稱(chēng)2
μm角度45度的探針，在已知寬度W的矽蝕刻V形長(zhǎng)溝掃瞄，因矽蝕刻角度θs為已知，可求出V
溝的理論深度，比對(duì)掃瞄軌跡深度h與式，可校正出探針實(shí)際半徑為1.92 μm。
出自http://www.bjsgyq.com/北京顯微鏡百科
特別聲明：本文出自北京上光儀器有限公司-未經(jīng)允許請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載，本文地址：http://www.bjsgyq.com/news/3953.html
北京地區(qū)金相顯微鏡專(zhuān)業(yè)的供應(yīng)商
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